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Etude theorique de nanofils semi-conducteurs

Application aux nanofils de silicium

Erschienen am 13.12.2013, Auflage: 1/2010
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Bibliografische Daten
ISBN/EAN: 9786131515132
Sprache: Französisch
Umfang: 144 S.
Format (T/L/B): 0.9 x 22 x 15 cm
Einband: kartoniertes Buch

Beschreibung

Le fonctionnement des dispositifs électroniques repose sur la densité de porteurs de charge libre disponible dans les semi-conducteurs; dans la plupart des dispositifs semi-conducteurs, cette densité est contrôlée par l''ajout d''atomes dopant. Lorsque la taille des composantes diminue, la présence d''interfaces et de matériaux adjacents aux semi-conducteurs aura une influence importante qui déterminera complètement les propriétés électroniques du dispositif. Afin d''améliorer leurs performances et leurs domaines d''application, de nouvelles architectures de transistor à effet de champ (FinFET, nanofils transistors à effet de champ) ont été proposées pour remplacer les dispositifs planaires utilisés aujourd''hui. Le bon fonctionnement de ces dispositifs dépend de notre capacité à mieux contrôler l''emplacement et le nombre d''atomes d''impuretés dans les semi-conducteurs lors du processus de fabrication. Nous montrons ici, que la densité de porteur de charge libre dans les nanofils de semi-conducteurs dépend de leur taille, que leur propriété électronique dépend complètement de leur environnement diélectrique.

Autorenportrait

Mamadou DIARRA, docteur en physique, post-doctorant au Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS, France). Christophe DELERUE, docteur en physique, directeur de recherche au CNRS. Yann-Michel NIQUET, docteur en physique, chargé de recherche au Commissariat à l''Energie Atomique. Guy ALLAN, docteur en physique, directeur de recherche au CNRS.